AGM308SR - AGMSEMI - 深圳市利特斯电子科技有限公司

欢迎来到深圳市利特斯电子科技有限公司!

0755-84501787

投诉建议热线：

0755-84501787

产品中心

首页 - AGMSEMI -

AGM308SR

AGM308SR

作者：网站管理员发布时间：2024-07-01 浏览次数：

芯控源AGM308SR详情: 1个N沟道，1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 17A，功率(Pd): 83W

●产品概述

AGM308SR将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。

●产品特点

■ 先进的高电池密度沟槽技术 ■ 低导通电阻（ON），可将导电损耗降至最低 ■ 低栅极电荷，可实现快速开关 ■ 低热阻 ■ 100% 雪崩测试 ■ 100% DVDS 测试

●应用

■ MB/VGA Vcore ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL应用 ■ BLDC电机驱动器

附件下载

AGM308SR_规格书.PDF

下载次数：次数

上一篇：AGM308AP

下一篇：AGM310AP1

热门产品

关于我们: - 公司介绍; - 联系我们

产品中心: - MELEXIS; - TOSHIBA; - TRINAMIC; - ST; - Onsemi; - AGMSEMI; - TI; - MPS; - ADI; - INFINEON

客户案例: - 公司案例; - 产品案例

新闻资讯: - 公司新闻; - 产品新闻; - 热点新闻

合作伙伴: - 授权代理; - 现货分销

联系我们:0755-84501787

投诉建议:0755-84501787

邮箱：

总部地址：深圳市龙岗区横岗街道荣德国际A座1808

微信公众号二维码

微信公众号二维码

Copyright © 2005-2023深圳市利特斯电子科技有限公司版权所有备案号:粤ICP备2024178703号-1 后台登录

回到顶部图片