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XPW6R30ANBU-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET,是汽车应用的理想选择。

XPW6R30ANBU-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET,是汽车应用的理想选择。

作者:网站管理员    发布时间:2024-09-07    浏览次数:

Toshiba  车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET,是汽车应用的理想选择。它们具有采

用专有技术的低导通电阻,使用铜连接器。  它们具有2.5V至3.5V的窄栅极阈值电压范围,从而降低了开关时间容差。


特性

  • 业界领先的低导通电阻
    • RDS (ON)= 3.0mΩ(典型值)(VGS = 10V时)(XPN3R804NC)
    • RDS (ON)= 6.11mΩ(最大值)(VGS=10V时)(TK60S10N1L/TK60F10N1L)
    • RDS (ON)= 6.31mΩ(最大值)(VGS= 10V时)(TK60R10N1L)
  • 窄栅极阈值电压范围
    • Vth= 1.5V至2.5V (窄:1V范围)(XPN3R804NC)
    • Vth= 2.5V至3.5V(窄:1V范围)(TK60S10N1L/TK60F10N1L/TK60 R10N1L)

  • 低热阻
    • Rth(ch-c)=0.83°c/W(最大值)(TK60S10N1L)
    • Rth(ch-c)=0.73°c/W(最大值)(TK60F10N1L/TK60R10N1L)
  • 通道额定温度:Tch=175°C
  • 低开关噪声

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