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TK16V60W5 MOSFET硅N沟道MOS(DTMOS)

TK16V60W5 MOSFET硅N沟道MOS(DTMOS)

作者:网站管理员    发布时间:2024-09-14    浏览次数:

Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片设计,有各种型号可供选择。

Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力。这些MOSFET可轻松控制栅极开关。

TK16x60W MOSFET有各种尺寸可选,采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和

TO-220SIS不同封装。这些 TK16x60W Si N沟道MOSFET用于开关稳压器。


特性

  • 低漏极-源极导通电阻RDS(ON)  :0.16Ω至0.196Ω
  • 易于控制的栅极开关
  • 增强模式Vth :2.7V至4.5V


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