XPHR7904PS,L1XHQ(O是Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET

首页 - TOSHIBA -

作者：网站管理员发布时间：2024-09-21 浏览次数：

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、

小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。

这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合

RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））封装。

特性

下载次数：次数

上一篇：SSM3J36TU

下一篇：SSM3J371R

产品中心: - MELEXIS; - TOSHIBA; - TRINAMIC; - ST; - Onsemi; - AGMSEMI; - TI; - MPS; - ADI; - INFINEON

联系我们:0755-84501787

投诉建议:0755-84501787

邮箱：

总部地址：深圳市龙岗区横岗街道荣德国际A座1808

微信公众号二维码